Товары по запросу: Транзисторов

• Pribor-proverki-tranzistorov-MOPtranzistorov

• Tester-tranzistorov-Tsifrovoy-tester

• Raznotsvetnyy-displey-mnogofunktsionalnyy-tester

• znacheniy-komplekt-tranzistorov-komplekt

• LCRTC-tester-tranzistorov-multimetr

• Komplekt-polevykh-tranzistorov-tranzistorov

• shtpartiya-nabor-tranzistorov

• shtpartiya-nabor-tranzistorov

• Usbtester-tranzistorov

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металлоорганических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. .Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

• Andrey-Georgievich-Vasilev-tranzistory

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металлоорганических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. .Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

• Andrey-Georgievich-Vasilev-tranzistory

• HGSLCRT-Mnogofunktsionalnyy-tester-tranzistorov

• elektronika-tsifrovoy-tester-tranzistorov

• Komplekt-bipolyarnykh-tranzistorov

• izmeritel-pribor-proverki-tranzistorov

• izmeritel-pribor-proverki-tranzistorov

• Korpus-testera-tranzistorov-aksessuar

• Pereklyuchatel-tranzistorov

• Korpus-testera-tranzistorov-aksessuar

• Nabor-tranzistorov-PNPNPN-znacheniy

• Graficheskiy-tester-soprotivleniya-tranzistorov

• Avtomobilnye-aksessuary-tranzistorov-vysokoy

• Ruchnoy-portativnyy-Ommetr-izmeritel

• ULNBDR-massiv-tranzistorov-Darlingtona

• Legko-chitaemyy-displey-legkaya

• Regulyator-moshchnosti-tranzistorov-TOPYN

• Fotograficheskiy-multimetr-diodov-triodov

• Modul-tranzistorov-MBPVFN-MBPVFN

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.

• Konstruktivnotekhnologicheskie-osobennosti-submikronnykh-MOPtranzistorov

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.

• Konstruktivnotekhnologicheskie-osobennosti-submikronnykh-MOPtranzistorov

В монографии на основе анализа технической и патентной литературы и результатов исследований авторов за последние двадцать лет рассмотрены методы контроля, программы испытаний, конструкции устройств (тестеров) для контроля параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов, приведены описания отечественных и зарубежных тестеров. Монография предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и радиоэлектронной промышленности, также может быть полезна студентам, обучающимся по направлениям «Радиотехника», «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», «Электроэнергетика и электротехника» (уровень магистратура), аспирантам направлений «Электроника, радиотехника и системы связи», «Электро- и теплотехника».

• Kontrol-parametrov-analogovykh-mikroskhem

• Graficheskiy-tester-tranzistorov-izmeritelem

• Tester-tranzistorov-Mnogofunktsionalnyy-izmeritel

• Tester-tranzistorov-Izmeritel-soprotivleniya

• Tester-tranzistorov-polnotsvetnym-graficheskim

• Originalnyy-ulnock-Shelkovyy-ekran

• Tsifrovoy-tester-tranzistorov-Soprotivlenie

• shtpartiya-triody-polevykh-tranzistorov

• Originalnyy-XCCTE-tranzistorov

• APAGMT-novaya-upakovka-mikroskhemy

• originalnaya-razborka-tranzistorov

• LCRTC-multimetrtester-tranzistorov-diodnogo

• taktnyy-gazovyy-domkrat-razrusheniya

• HAILANGNIAO-Mnogofunktsionalnyy-tester-Tester

• Tester-tranzistorov-tsifrovoy-MOSPNPNPN

• Tester-tranzistorov-Soprotivlenie-Induktivnost

• Pozolochennye-audiousiliteli-tranzistorov-Besplatnaya

• shtpartiya-nabor-tranzistorov-Sctock

• Tester-tranzistorov-Triod-Emkostnyy

• shtlot-tranzistorov-Darlingtona-novaya

• Mnogofunktsionalnyy-tester-tranzistorov-tester

• Testirovanie-rezistorov-kondensatorov-Multimetr

• FJLTU-upakovka-tranzistorov-novyy

• graficheskiy-tester-tranzistorov-rezistor

• Mnogofunktsionalnyy-ZhKdispley-Tsifrovoy-tester

• Graficheskiy-tester-tranzistorov-ZhKmodul

• silikonovye-izolyatsionnye-izolyatory-tranzistorov

• Novye-modeli-tranzistorov-vysokogo

• ZhKdiod-triod-izmeritel-emkosti

• Mnogofunktsionalnyy-tester-tranzistorov-tester

• Serebristaya-alyuminievaya-rakovina-svetodiodov

• Tester-tranzistorov-Triod-Emkostnyy

• Testovoe-gnezdo-tranzistorov

• shtlot-Novyy-ULNAFWG-modul

• korpusa-korpusa-testera-tranzistorov

• BLFXR-spetsializiruetsya-keramicheskikh-vysokochastotnykh

• ZhKdiod-triod-izmeritel-emkosti

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• ZhKdiod-triod-izmeritel-emkosti

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• ZhKtsifrovoy-tester-tranzistorov-diodnyy

• tranzistorov-Darlington-novinka-original

• Tester-tranzistorov-Triod-Emkostnyy

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• Tester-tranzistorov-Triod-Emkostnyy

• Mnogofunktsionalnyy-diodnyy-izmeritel-emkosti

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• Tester-tranzistorov-Triod-Emkostnyy

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• Vysokokachestvennyy-fleyorestsentnyy-izmeritel-tester

• tranzistorov

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• ZhKdiod-triod-izmeritel-emkosti

• Tester-tranzistorov-svoimi-rukami

• Komplekt-Elektronnykh-komponentov-Aochi

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

• Viktor-Vasilevich-Denisenko-Kompaktnye

• alyuminievyy-radiatora-radiatora-svetodiodnykh

• Originalnyy-epitaksialnyy-Triod-tranzistorov

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

• Viktor-Vasilevich-Denisenko-Kompaktnye

• Komplekt-Elektronnykh-komponentov-Aochi

• Originalnyy-nizkomoshchnyy-tranzistor-tranzistorov

• Mnogofunktsionalnyy-tester-tranzistorov-dyuymovym

• ZhKdiod-triod-izmeritel-emkosti

• NOVYY-tester-tranzistorov-generator

• alyuminievyy-radiatora-radiatora-svetodiodnykh

• diodnyy-triodnyy-izmeritel-emkosti

• shtpartiya-trubki-usilitelya-tranzistorov

• elektricheskie-elektricheskie-mednye-provoda

• shtpartiya-ZVNGTA-nabor-tranzistorov